JMGE120V09A دیتاشیت

JMGE120V09A

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت JMGE120V09A
حجم فایل 81.993 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت JMGE120V09A

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Jiangsu JieJie Microelectronics JMGE120V09A
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 184W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 60nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 85V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3750pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 130A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 340pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4mΩ@10V,30A
  • Package: TO-263-2
  • Manufacturer: Jiangsu JieJie Microelectronics

محصولات مشابه